首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据，仅供参考，实际以国家知识产权局展示为准

一种用于提高数字隔离器芯片耐压值的隔离电容

发明专利有效专利

申请号：
CN201811516650.6
IPC分类号：H01L23/64
申请日期：
2018-12-12
申请人：
上海川土微电子有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种用于提高数字隔离器芯片耐压值的隔离电容
申请号	CN201811516650.6	申请日期	2018-12-12
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-06-19	公开/公告号	CN111312696A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/64 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/58 其他组不包含的，用于半导体器件的电结构装置〔5〕 H01L23/64 阻抗装置〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;6;4查看分类表>
申请人	上海川土微电子有限公司	申请人地址	上海市浦东新区南汇新城镇环湖西二路888号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海川土微电子有限公司	当前权利人	上海川土微电子有限公司
发明人	丁万新;史广达;陶晶晶;陈东坡
代理机构	上海宏京知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	崔巍

摘要

本发明提供一种用于提高数字隔离器芯片耐压值的隔离电容，涉及数字隔离器芯片领域，所述隔离电容包括下极板、上极板以及依次设置于下极板和上极板之间的SiO2层和钝化层，所述钝化层为SiO2和Si3N4的叠加，所述钝化层的厚度为2～3um，SiO2层的厚度为8～9um。本发明解决了现有技术中电容隔离器芯片的耐压值不能满足增强型隔离耐压要求的问题。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供