微米和纳米级多相羟基氧化镍及其制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200410100831.2
IPC分类号：H01M4/52;H01M4/04;C01G53/02;C01G53/04
申请日期：
2004-12-06
申请人：
厦门大学

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专利名称	微米和纳米级多相羟基氧化镍及其制备方法
申请号	CN200410100831.2	申请日期	2004-12-06
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2006-06-14	公开/公告号	CN1787256
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01M4/52 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01M 用于直接转变化学能为电能的方法或装置，例如电池组〔2〕（一般电化学的方法或装置入C25；用于转变光或热为电能的半导体或其他固态器件入H01L，例如H01L 31/00，H01L 35/00，H01L 37/00）〔2〕 H01M4/00 电极〔2〕 H01M4/02 由活性材料组成或包括活性材料的电极〔2〕 H01M4/36 作为活性物质、活性体、活性液体的材料的选择〔2〕 H01M4/48 无机氧化物或氢氧化物的〔2，2010.01〕 H01M4/52 镍、钴或铁的〔2，2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;M;4;/;5;2;;;H;0;1;M;4;/;0;4;;;C;0;1;G;5;3;/;0;2;;;C;0;1;G;5;3;/;0;4查看分类表>
申请人	厦门大学	申请人地址	福建省厦门市思明南路422号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	厦门大学	当前权利人	厦门大学
发明人	廖代伟;符显珠;李俊;林敬东
代理机构	厦门南强之路专利事务所	代理人	马应森

摘要

微米和纳米级多相羟基氧化镍及其制备方法，涉及一种化合物，尤其是一种主要用于电池正极材料的化合物及其制备方法。提供一种储存性好、放电容量高、填充密度大的既含β相又含γ相的微米和纳米级多相羟基氧化镍及其制备方法，并应用于电池正极材料。其化学表达式为HaKbNac(H2O)dNixM1-XO2，其步骤为由镍盐制备氢氧化镍前驱体，再由氢氧化镍制备多相羟基氧化镍。稳定性好，保持有γ相羟基氧化镍的稳定性，用作正极材料制成电池的储存性能好；放电容量大，多相羟基氧化镍可放出多于1个电子的反应，实测容量在261～360mAh/g之间；振实密度高，多相羟基氧化镍保持有β相羟基氧化镍的高密度，其实测密度在1.9～2.5g/cm3之间。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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