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含氮芳香族化合物、有机半导体材料及有机电子器件

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201180043940.3
  • IPC分类号:C07D487/04;C07D491/048;C07D495/04;C09K11/06;H01L51/05;H01L51/30;H01L51/50
  • 申请日期:
    2011-07-07
  • 申请人:
    新日铁住金化学株式会社
著录项信息
专利名称含氮芳香族化合物、有机半导体材料及有机电子器件
申请号CN201180043940.3申请日期2011-07-07
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2013-05-15公开/公告号CN103108875A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C07D487/04IPC分类号C;0;7;D;4;8;7;/;0;4;;;C;0;7;D;4;9;1;/;0;4;8;;;C;0;7;D;4;9;5;/;0;4;;;C;0;9;K;1;1;/;0;6;;;H;0;1;L;5;1;/;0;5;;;H;0;1;L;5;1;/;3;0;;;H;0;1;L;5;1;/;5;0查看分类表>
申请人新日铁住金化学株式会社申请人地址
日本东京中央区日本桥一丁目13番1号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人日铁化学材料株式会社当前权利人日铁化学材料株式会社
发明人堀田正则;泽田雄一;川田敦志;轴丸真名;松本惠
代理机构永新专利商标代理有限公司代理人陈建全
摘要
本发明提供作为有机半导体材料有用的含氮芳香族杂环化合物以及使用了该化合物的有机电子器件。本发明的含氮芳香族杂环化合物以及使用了该化合物的有机电子器件为具有下述式(1)所示的稠合吲哚骨架的含氮芳香族杂环化合物、含有该化合物的有机半导体材料、以及使用了该有机半导体材料的有机电子器件。式(1)中,X是N-A’、O、S或Se,A是烷基、环烷基、链烯基、炔基、芳香族烃基或不包括4环以上的稠合杂环在内的芳香族杂环基,R是氢、烷基、环烷基、链烯基、炔基、芳香族烃基或不包括4环以上的稠合杂环在内的芳香族杂环基。

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