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一种紫外LED封装方法及封装结构

发明专利无效专利

申请号：
CN201710717658.8
IPC分类号：H01L33/48;H01L33/62;H01L33/52
申请日期：
2017-08-21
申请人：
厦门华联电子股份有限公司

基础信息

权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种紫外LED封装方法及封装结构
申请号	CN201710717658.8	申请日期	2017-08-21
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2017-12-29	公开/公告号	CN107527979A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/48 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/48 以半导体封装体为特征的〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;4;8;;;H;0;1;L;3;3;/;6;2;;;H;0;1;L;3;3;/;5;2查看分类表>
申请人	厦门华联电子股份有限公司	申请人地址	福建省厦门市火炬高新区火炬园华联电子大厦变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	厦门华联电子股份有限公司	当前权利人	厦门华联电子股份有限公司
发明人	林丞
代理机构	厦门市精诚新创知识产权代理有限公司	代理人	何家富

摘要

本发明涉及一种紫外LED封装结构及封装方法，其中封装结构包括封装支架、紫外倒装芯片和石英玻璃，所述紫外倒装芯片的出光面上具有一钝化层，所述石英玻璃与该钝化层键合，使石英玻璃直接固定到紫外倒装芯片上，以解决现有紫外LED封装存在光取出率低以及可靠性差的问题，本发明还提供了该封装结构的封装方法。

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