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发光器件和电子器件

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200610121268.6
  • IPC分类号:H05B33/02;H05B33/26;H05B33/28
  • 申请日期:
    2006-06-30
  • 申请人:
    株式会社半导体能源研究所
著录项信息
专利名称发光器件和电子器件
申请号CN200610121268.6申请日期2006-06-30
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2007-01-17公开/公告号CN1897775
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H05B33/02IPC分类号H;0;5;B;3;3;/;0;2;;;H;0;5;B;3;3;/;2;6;;;H;0;5;B;3;3;/;2;8查看分类表>
申请人株式会社半导体能源研究所申请人地址
日本神奈川县厚木市 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人株式会社半导体能源研究所当前权利人株式会社半导体能源研究所
发明人野村亮二;濑尾哲史;岩城裕司;杉泽希
代理机构中国专利代理(香港)有限公司代理人吕彩霞;段晓玲
摘要
在没有诸如电压和发光效率降低的不利后果下,改善了发光元件的色纯度。该发光元件含有发光层叠体,其包括在一对电极之间的发光层。缓冲层设置为与至少一个电极接触。电极中的一个为具有高反射率的电极,而另一个为半透明电极。通过提供半透明电极,光可以透过并被反射。电极之间的光学距离根据缓冲层的厚度调整,因此,光可以在电极之间共振。所述缓冲层由包含有机化合物和金属化合物的复合材料制成,因此,即使电极间的距离变大,发光元件的电压和发光效率也不会受到影响。

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