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有机半导体组合物、有机薄膜及有机薄膜晶体管

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201880005059.6
  • IPC分类号:H01L51/30;H01L21/336
  • 申请日期:
    2018-03-19
  • 申请人:
    日本化药株式会社
著录项信息
专利名称有机半导体组合物、有机薄膜及有机薄膜晶体管
申请号CN201880005059.6申请日期2018-03-19
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2019-07-30公开/公告号CN110073507A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L51/30IPC分类号H;0;1;L;5;1;/;3;0;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6查看分类表>
申请人日本化药株式会社申请人地址
日本东京都 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人日本化药株式会社当前权利人日本化药株式会社
发明人小野寺希望;井上悟;贞光雄一
代理机构隆天知识产权代理有限公司代理人陈曦;向勇
摘要
本发明的目的为提供可由溶液法制作有机薄膜的有机半导体组合物、使用该有机半导体组合物而得到的有机薄膜、以及具有该有机薄膜的实用的场效应晶体管,该场效应晶体管可在保持高迁移率的同时具有小变异,并且阈值的变异也小。即,本说明书揭示一种有机半导体组合物,其包含:有机半导体化合物、绝缘化合物、作为该绝缘化合物的良溶剂的有机溶剂A及作为该绝缘化合物的贫溶剂且沸点高于该有机溶剂A的有机溶剂B,其中该有机溶剂A与该有机溶剂B的含有质量比率a:b为1:8至8:1。

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