一种基于倾斜静磁场的斜入射式电磁声传感器

发明专利有效专利

申请号：
CN201811232524.8
IPC分类号：G01N29/04;G01N29/24
申请日期：
2018-10-22
申请人：
北京工业大学

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专利名称	一种基于倾斜静磁场的斜入射式电磁声传感器
申请号	CN201811232524.8	申请日期	2018-10-22
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2019-03-08	公开/公告号	CN109444262A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01N29/04 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01N （除免疫测定法以外包括酶或微生物的测量或试验入C12M，C12Q） G01N29/00 利用超声波、声波或次声波来测试或分析材料；靠发射超声波或声波通过物体得到物体内部的显像（G01N 3/00至G01N 27/00优先）〔4〕 G01N29/04 固体分析（利用声发射技术入G01N 29/14）〔4，5，8〕	IPC分类号	G;0;1;N;2;9;/;0;4;;;G;0;1;N;2;9;/;2;4查看分类表>
申请人	北京工业大学	申请人地址	北京市朝阳区平乐园100号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京工业大学	当前权利人	北京工业大学
发明人	刘增华;赵欣;李佳奇;何存富;吴斌
代理机构	北京思海天达知识产权代理有限公司	代理人	沈波

摘要

本发明公开了一种基于倾斜静磁场的斜入射式电磁声传感器，该传感器由矩形钕铁硼磁铁和回折线圈组成。当传感器工作时，矩形钕铁硼磁铁提供倾斜于铝板的静磁场，载有高频电流的回折线圈在铝板集肤深度层内，感生出方向相反且周期分布的感应涡流。超声波斜入射有利于提高电磁声传感器的模态控制能力。通过实验验证了所研制的斜入射式电磁声传感器可降低不需要模态的幅值，增强了电磁声传感器的模态控制能力。通过扫频和声场指向性测试实验，验证了所研制的斜入射式电磁声传感器具有较好的频率响应特性和声场指向性。本发明将矩形钕铁硼磁铁倾斜极化，增加调整入射声波角度的方法，增强了传统电磁声传感器的模态控制能力，具有极大的应用价值。

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