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单掩模相变存储器工艺集成

发明专利无效专利

申请号：
CN201180039400.8
IPC分类号：H01L45/00
申请日期：
2011-07-11
申请人：
国际商业机器公司;旺宏电子股份有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	单掩模相变存储器工艺集成
申请号	CN201180039400.8	申请日期	2011-07-11
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2013-04-24	公开/公告号	CN103069603A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L45/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L45/00 无电位跃变势垒或表面势垒的，专门适用于整流、放大、振荡或切换的固态器件，例如介电三极管；奥氏效应器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备（由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00；应用超导电性或高导性的器件入H01L 39/00；压电器件入H01L 41/00；体负阻效应器件入H01L 47/00）〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;4;5;/;0;0查看分类表>
申请人	国际商业机器公司;旺宏电子股份有限公司	申请人地址	美国纽约变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	国际商业机器公司,旺宏电子股份有限公司	当前权利人	国际商业机器公司,旺宏电子股份有限公司
发明人	M·J·布赖特韦什;C·H·拉姆;H-L·隆;E·A·约瑟夫
代理机构	北京市中咨律师事务所	代理人	于静;张亚非

摘要

本发明的一个实例实施例示出了一种制造相变存储器单元的方法。所述方法包括在绝缘衬底内形成非亚光刻过孔。所述绝缘衬底嵌在与半导体晶片的第一金属化层（金属1）相同的层上，并包括底部和侧壁。亚光刻孔穿过所述非亚光刻过孔的所述底部形成并延伸至掩埋导电材料。用导电非相变材料填充所述亚光刻孔。此外，在所述非亚光刻过孔内沉积相变材料。

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