柱状结构及其形成方法、倒装芯片接合结构

发明专利有效专利

申请号：
CN201010222594.2
IPC分类号：H01L21/60;H01L23/485;H01L23/495
申请日期：
2010-07-02
申请人：
台湾积体电路制造股份有限公司

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著录项信息

专利名称	柱状结构及其形成方法、倒装芯片接合结构
申请号	CN201010222594.2	申请日期	2010-07-02
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2011-01-12	公开/公告号	CN101944496A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/60 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/50 应用H01L 21/06至H01L 21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的〔2〕 H01L21/60 引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;6;0;;;H;0;1;L;2;3;/;4;8;5;;;H;0;1;L;2;3;/;4;9;5查看分类表>
申请人	台湾积体电路制造股份有限公司	申请人地址	中国台湾新竹市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	台湾积体电路制造股份有限公司	当前权利人	台湾积体电路制造股份有限公司
发明人	林俊成;余振华
代理机构	北京德恒律师事务所	代理人	陆鑫;高雪琴

摘要

本发明提供一种于铜柱结构之上形成良好粘着性的介金属化合物的柱状结构的形成方法与柱状结构及倒装芯片接合结构。该方法包括沉积铜以形成铜柱层；沉积扩散阻挡层于铜柱层之上；沉积铜盖层于扩散阻挡层之上，其中于铜盖层与扩散阻挡层之间形成介金属化合物(IMC)；以及焊料层形成于铜盖层之上。介金属化合物对于铜柱结构具有良好的粘着性，且介金属化合物的厚度由铜盖层的厚度决定，且扩散阻挡层限制铜从铜柱层中扩散到焊料层。于沉积铜盖层之前，方法中还包括沉积一薄层于扩散阻挡层之上，以增进湿润性(wetability)。本发明的优点包括于铜柱凸块上形成良好粘着性的介金属化合物(IMC)，且形成整体可靠的结构。

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