一种基于封装缺陷地结构的紧凑型宽阻带带通滤波器

发明专利有效专利

申请号：
CN202010496272.0
IPC分类号：H01P1/208;H01P1/20
申请日期：
2020-06-03
申请人：
电子科技大学

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专利名称	一种基于封装缺陷地结构的紧凑型宽阻带带通滤波器
申请号	CN202010496272.0	申请日期	2020-06-03
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2020-09-04	公开/公告号	CN111628255A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01P1/208 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01P 波导；谐振器、传输线或其他波导型器件（工作在光频的入G02B） H01P1/00 辅助器件（波导型耦合器件入H01P 5/00） H01P1/20 选频器件，例如滤波器 H01P1/207 空腔波导滤波器（H01P 1/212，H01P 1/213，H01P 1/215，H01P 1/219优先）〔3〕 H01P1/208 级联谐振腔；在空腔波导结构中的级联谐振器（H01P 1/205优先）〔3〕	IPC分类号	H;0;1;P;1;/;2;0;8;;;H;0;1;P;1;/;2;0查看分类表>
申请人	电子科技大学	申请人地址	四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	电子科技大学	当前权利人	电子科技大学
发明人	杨冬霞;饶云博;钱慧珍;罗讯
代理机构	成都智弘知识产权代理有限公司	代理人	陈春;丁亮

摘要

本申请公开了一种基于封装缺陷地结构的紧凑型宽阻带带通滤波器，信号层上设置有SIR谐振器、非对称阶跃短截线和馈电线路，所述信号层与所述第一金属层耦合连接，所述第一金属层为缺陷结构金属层，所述第二金属层为接地金属层，所述第一金属层与所述第二金属层组成封装缺陷地结构PDGS。第一金属层和第二金属层构成PDGS结构，该结构相对于传统的DGS结构增加了一层额外的地层，可以将电磁场限制在一个准腔体中，故而可以减小辐射损耗，从而降低滤波器的插入损耗。相对于传统的DGS结构而言，增加的额外一层地层使得传输线的分布电容增大，从而同样尺寸的情况下谐振频率左移，更容易实现小型化。

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