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一种无压烧结制备高综合性能氮化硅陶瓷的方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110522609.5
  • IPC分类号:C04B35/591;C04B35/622;C04B35/63;C04B35/65
  • 申请日期:
    2021-05-13
  • 申请人:
    广东工业大学
著录项信息
专利名称一种无压烧结制备高综合性能氮化硅陶瓷的方法
申请号CN202110522609.5申请日期2021-05-13
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-08-27公开/公告号CN113307631A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C04B35/591IPC分类号C;0;4;B;3;5;/;5;9;1;;;C;0;4;B;3;5;/;6;2;2;;;C;0;4;B;3;5;/;6;3;;;C;0;4;B;3;5;/;6;5查看分类表>
申请人广东工业大学申请人地址
广东省广州市番禺区广州大学城外环西路100号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人广东工业大学当前权利人广东工业大学
发明人黄荣厦;吴建波;刘胜岚;林华泰
代理机构广州专理知识产权代理事务所(普通合伙)代理人张凤
摘要
本发明公开了一种无压烧结制备高综合性能氮化硅陶瓷的方法,通以硅粉,氧化锆,氧化钆、氧化钇、氮化硅粉为主要原料,加入溶剂进行球磨混合后,经干压结合冷等静压成型或流延成型后,成型的样品进行氮化热处理,无压烧结后,通过一定的升降温速率和一定温区的退火热处理,获得了高热导率的氮化硅陶瓷,同时提高了绝缘强度,保证了力学性能,大大降低了成本,本发明应用于制备低成本、综合性能优异和热导率高的氮化硅陶瓷。

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