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容易控制数据写入电流的薄膜磁性体存储器

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN01122086.4
  • IPC分类号:--
  • 申请日期:
    2001-05-21
  • 申请人:
    三菱电机株式会社
著录项信息
专利名称容易控制数据写入电流的薄膜磁性体存储器
申请号CN01122086.4申请日期2001-05-21
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2002-05-15公开/公告号CN1349226
优先权暂无优先权号暂无
主分类号暂无IPC分类号暂无查看分类表>
申请人三菱电机株式会社申请人地址
日本神奈川县川崎市 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人瑞萨电子株式会社当前权利人瑞萨电子株式会社
发明人日高秀人
代理机构中国专利代理(香港)有限公司代理人杨凯;张志醒
摘要
与MTJ存储单元的各列对应地配置折叠型位线对。形成位线对的2条位线(BL,/BL)通过列选择门(CSG1~CSGm)分别与形成数据I/O线对DI/OP的2条数据线(IO,/IO)连接。在数据写入时,与各位线对对应地配置的均衡化晶体管(62)导通。数据写入电流控制电路(51)将2条数据线(IO,I/O)分别设定在高电位状态(Vcc)或低电位状态(Vss),故可以根据写入数据的电平简单地控制作为为往复电流流过位线对的数据写入电流的方向。

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