三轴自对准法制备内腔接触式垂直腔面发射激光器

发明专利无效专利

申请号：
CN200410029946.7
IPC分类号：H01S5/183;C30B25/00
申请日期：
2004-04-06
申请人：
北京工业大学

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专利名称	三轴自对准法制备内腔接触式垂直腔面发射激光器
申请号	CN200410029946.7	申请日期	2004-04-06
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2005-01-12	公开/公告号	CN1564405
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01S5/183 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01S 利用受激发射的器件 H01S5/00 半导体激光器〔7〕 H01S5/10 光学谐振腔的结构或形状〔7〕 H01S5/18 面发射〔SE〕激光器〔7〕 H01S5/183 具有垂直腔的〔VCSE-激光器〕〔7〕	IPC分类号	H;0;1;S;5;/;1;8;3;;;C;3;0;B;2;5;/;0;0查看分类表>
申请人	北京工业大学	申请人地址	北京市朝阳区平乐园100号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京工业大学	当前权利人	北京工业大学
发明人	郭霞;沈光地;杜金玉;邹德恕
代理机构	北京思海天达知识产权代理有限公司	代理人	张慧

摘要

三轴自对准方法制备的垂直腔面发射激光器属半导体光电子技术领域。流程如图3-1～9所示，各步骤均用常规技术，包括以下步骤：光刻；采用光刻胶做掩膜，腐蚀上分布布拉格反射镜1到欧姆接触层3，并呈双沟状；淀积p型欧姆接触电极Ti/Pt/Au2；剥离，只在欧姆接触层3上留有Ti/Pt/Au；套刻；光刻胶和p型欧姆接触电极Ti/Pt/Au2共同作为掩膜，分别向下腐蚀无掩膜保护的上分布布拉格反射镜1和欧姆接触层3、AlxGa1-xAs(x≥0.9)湿氮氧化层4；去掉光刻胶；湿氮氧化，控制氧化时间，形成氧化孔径；将样品减薄，抛光，制备n型欧姆接触电极11。本发明使得光刻精度低的光刻机，也能获得三轴对准的垂直腔面发射激光器器件，提高生产效率，降低生产成本。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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