半导体和钛酸锶p－n结

发明专利无效专利

申请号：
CN01104459.4
IPC分类号：--
申请日期：
2001-02-27
申请人：
中国科学院物理研究所

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体和钛酸锶p－n结
申请号	CN01104459.4	申请日期	2001-02-27
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2002-09-25	公开/公告号	CN1371137
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	中国科学院物理研究所	申请人地址	北京市603信箱变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院物理研究所	当前权利人	中国科学院物理研究所
发明人	吕惠宾;颜雷;戴守愚;陈正豪;周岳亮;陈凡;谈国太;杨国桢
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明涉及电子学领域，特别是涉及一系列新型p-n结。本发明提供的半导体和钛酸锶p-n结，其特征在于：n型和p型的半导体为掺杂的硅或锗或砷化镓；n型钛酸锶SrAxTi1-xO3或Sr1-xLaxTiO3，其中A是Nb或Sb或Ta；p型钛酸锶SrBxTi1-xO3，其中B是In或Ga或Mn；X＝0.005～0.5；将该p型或n型钛酸锶与该n型或p型半导体进行叠层生长，制备半导体与钛酸锶p-n结、p-p结、n-n结、n-p-n结、p-n-p结。本发明的制作工艺简单，稳定性好，可广泛应用于电子器件及探测器。

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