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相变化存储元件及其制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200610000272.7
IPC分类号：H01L45/00;H01L27/24
申请日期：
2006-01-10
申请人：
财团法人工业技术研究院

基础信息

权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	相变化存储元件及其制造方法
申请号	CN200610000272.7	申请日期	2006-01-10
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2007-07-18	公开/公告号	CN101000944
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L45/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L45/00 无电位跃变势垒或表面势垒的，专门适用于整流、放大、振荡或切换的固态器件，例如介电三极管；奥氏效应器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备（由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00；应用超导电性或高导性的器件入H01L 39/00；压电器件入H01L 41/00；体负阻效应器件入H01L 47/00）〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;4;5;/;0;0;;;H;0;1;L;2;7;/;2;4查看分类表>
申请人	财团法人工业技术研究院	申请人地址	中国台湾新竹县变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	财团法人工业技术研究院	当前权利人	财团法人工业技术研究院
发明人	许宏辉;李乾铭;王文翰;李敏鸿;赵得胜;卓言;陈颐承;陈维恕
代理机构	北京律诚同业知识产权代理有限公司	代理人	梁挥;徐金国

摘要

本发明公开了一种相变化存储元件及其制造方法，主要是将相变层刻蚀成一锥形结构，并将相变层上的介电层平坦化，直至露出锥形结构的顶端，由显露出的锥形结构的顶端与加热电极接触。如此一来，将相变层的顶端露出的面积控制在极小尺寸内，即可缩小相变层与加热电极的接触面积，进而降低其操作电流。

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