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一种相变存储器电极结构的制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201310461919.6
  • IPC分类号:H01L45/00
  • 申请日期:
    2013-09-30
  • 申请人:
    上海新安纳电子科技有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所
著录项信息
专利名称一种相变存储器电极结构的制备方法
申请号CN201310461919.6申请日期2013-09-30
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2014-01-08公开/公告号CN103500795A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L45/00IPC分类号H;0;1;L;4;5;/;0;0查看分类表>
申请人上海新安纳电子科技有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所申请人地址
上海市金山区金山工业区天工路285弄2幢 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海新安纳电子科技有限公司,中国科学院上海微系统与信息技术研究所当前权利人上海新安纳电子科技有限公司,中国科学院上海微系统与信息技术研究所
发明人何敖东;宋志棠;刘波;王良咏;刘卫丽
代理机构上海光华专利事务所代理人许亦琳;余明伟
摘要
本发明涉及一种相变存储器电极结构的制备方法,首先在硅衬底上依次沉积第一绝缘层和第二绝缘层,然后刻蚀形成贯通第一绝缘层和第二绝缘层的圆孔状凹槽Ⅰ;在凹槽Ⅰ内沉积钨材料;再通过干法回蚀刻蚀填充于凹槽Ⅰ内的钨材料至其上表面与第一绝缘层的上表面齐平,形成圆孔状凹槽Ⅱ,沟槽Ⅱ底部的钨材料作为下电极;然后在凹槽Ⅱ的内表面及第二绝缘层的上表面上沉积导电薄膜层,继而在沟槽Ⅱ内填充第三绝缘层材料,然后化学机械抛光去除第二绝缘层上表面上多余的第三绝缘层材料和导电薄膜层,剩余导电薄膜层作为上电极;本方法具有大大提高器件的良率,并提高硅片内环形电极高度的均匀性,使得相变过程中的电阻分布变窄,提高器件的稳定性的特点。

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