半导体封装体及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010723278.7
IPC分类号：H01L23/552;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/56
申请日期：
2020-07-24
申请人：
铠侠股份有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体封装体及其制造方法
申请号	CN202010723278.7	申请日期	2020-07-24
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-08-06	公开/公告号	CN113224037A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/552 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/552 防辐射保护装置，例如光〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;5;5;2;;;H;0;1;L;2;3;/;3;1;;;H;0;1;L;2;1;/;5;0;;;H;0;1;L;2;1;/;5;6查看分类表>
申请人	铠侠股份有限公司	申请人地址	日本东京变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	铠侠股份有限公司	当前权利人	铠侠股份有限公司
发明人	泽登昭仁
代理机构	北京律盟知识产权代理有限责任公司	代理人	张世俊

摘要

本发明涉及一种半导体封装体及其制造方法。本实施方式的半导体封装体具备衬底。半导体芯片设置于衬底上。树脂层在衬底上被覆半导体芯片。金属膜被覆树脂层的正面及侧面。金属膜是具备第1～第4金属层的积层膜。第1金属层被覆树脂层。第2金属层包含与第1金属层不同的材料。第3金属层包含构成第2金属层的第1金属材料与不同于该第1金属材料的第2金属材料的合金。第4金属层被覆第2或第3金属层。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供