副炉开门式单晶炉

发明专利无效专利

申请号：
CN201010161413.X
IPC分类号：C30B35/00
申请日期：
2010-04-29
申请人：
杭州富通半导体设备科技有限公司

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著录项信息

专利名称	副炉开门式单晶炉
申请号	CN201010161413.X	申请日期	2010-04-29
法律状态	驳回	申报国家	暂无
公开/公告日	2010-09-08	公开/公告号	CN101824656A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B35/00 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B35/00 未包括在其他分类位置中的专门适用于单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的生长、制备或后处理的一般装置〔3，5〕	IPC分类号	C;3;0;B;3;5;/;0;0查看分类表>
申请人	杭州富通半导体设备科技有限公司	申请人地址	浙江省富阳市金秋大道富通科技园1-8号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	富通集团有限公司	当前权利人	富通集团有限公司
发明人	许月明;汪益龙;周岱忠;李晓荣
代理机构	浙江翔隆专利事务所	代理人	沈绿怡

摘要

一种副炉开门式单晶炉，涉及一种单晶炉。其炉体从上至下的主要部件依次为：储存仓、副炉、炉盖、主炉、炉底板，其特征在于：副炉的正面设有副炉开门装置，副炉的下端设有旋转式隔离阀装置，炉盖与主炉的连接处设有防护挡板，主炉冷却夹层内设有由下至上环绕主炉并以螺旋形式分布的螺旋式水道，与主炉下部连接的两只真空管端面分别设有两只相同的防爆阀门。其方便了生产过程中的取晶、副炉清理、中途掺杂及二次投料，降低炉体高度，提高主副炉隔离性能，改善了冷却效果，进一步完善防护措施，确保了安全生产。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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