二极磁铁积分场均匀度优化方法、装置、介质及设备

发明专利有效专利

申请号：
CN202111042542.1
IPC分类号：G06F30/23;G06F111/04
申请日期：
2021-09-07
申请人：
中国科学院近代物理研究所

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法律信息

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著录项信息

专利名称	二极磁铁积分场均匀度优化方法、装置、介质及设备
申请号	CN202111042542.1	申请日期	2021-09-07
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2021-12-03	公开/公告号	CN113742972A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G06F30/23	IPC分类号	G;0;6;F;3;0;/;2;3;;;G;0;6;F;1;1;1;/;0;4查看分类表>
申请人	中国科学院近代物理研究所	申请人地址	甘肃省兰州市城关区南昌路509号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院近代物理研究所	当前权利人	中国科学院近代物理研究所
发明人	张翔;姚庆高;吴巍;梅恩铭;赵丽霞;吕明邦;张京京;陈玉泉;马力祯
代理机构	北京纪凯知识产权代理有限公司	代理人	任文娟

摘要

本发明涉及一种二极磁铁积分场均匀度优化方法、装置、介质及设备，包括：建立二极磁铁模型，对其端部进行削斜，得到端部削斜块或垫补块模型；计算端部削斜块或垫补块模型对积分场的贡献量；计算端部削斜块或垫补块模型对好场区所有点积分场的贡献量；建立并求解线性规划方程组，得到不同位置端部削斜块或垫补块模型的削斜厚度；将不同位置端部削斜块或垫补块模型的削斜深度带入有限元软件中进行模拟验算，获得优化后的积分场均匀度，优于物理要求结果，即完成优化设计。本发明方法可以在磁场测量后的二次修磁过程中通过求线性方程组结合端部垫片的方式进行快速的磁场垫补，大大提高了计算和测试的工作效率。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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