一种SiNx中间层磁控溅射制备类金刚石膜的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201410111641.4
IPC分类号：C23C14/35;C23C14/06
申请日期：
2014-03-24
申请人：
西南科技大学

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种SiNx中间层磁控溅射制备类金刚石膜的方法
申请号	CN201410111641.4	申请日期	2014-03-24
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2014-06-11	公开/公告号	CN103849847A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C14/35 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C14/00 通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆〔4，2006.01〕 C23C14/22 以镀覆工艺为特征的〔4〕 C23C14/34 溅射〔4〕 C23C14/35 利用磁场的，例如磁控溅射〔5〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;4;/;3;5;;;C;2;3;C;1;4;/;0;6查看分类表>
申请人	西南科技大学	申请人地址	四川省绵阳市涪城区青龙大道中段59号西南科技大学变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	西南科技大学	当前权利人	西南科技大学
发明人	陈青云;王茜;王金枝;罗瑜;王烈林;王星博;邓云礼
代理机构	北京众合诚成知识产权代理有限公司	代理人	龚燮英

摘要

本发明公开了一种SiNX中间层磁控溅射制备类金刚石膜的方法。本发明是将衬底Si基片清洗处理后，先在基片表面形成一层缓冲层SiNX薄膜，然后以高纯碳靶作为靶材，Ar作为工作气体，在SiNX薄膜上形成类金刚石膜。本发明的制备工艺简单，重复性好，可在低温下沉积，节能且减小降温后膜的应力残余，防止膜层脱落；本发明的方法制得的类金刚石膜具有低内应力，膜层质量好，膜均匀致密等优点。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供