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一种多孔硅藻土陶瓷及其制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201610593091.3
  • IPC分类号:C04B38/10;C04B35/14
  • 申请日期:
    2016-07-26
  • 申请人:
    武汉科技大学
著录项信息
专利名称一种多孔硅藻土陶瓷及其制备方法
申请号CN201610593091.3申请日期2016-07-26
法律状态驳回申报国家中国
公开/公告日2016-12-07公开/公告号CN106187308A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C04B38/10IPC分类号C;0;4;B;3;8;/;1;0;;;C;0;4;B;3;5;/;1;4查看分类表>
申请人武汉科技大学申请人地址
湖北省武汉市青山区建设一路 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人武汉科技大学当前权利人武汉科技大学
发明人张海军;韩磊;张少伟;邓先功
代理机构武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙)代理人张火春
摘要
本发明涉及一种多孔硅藻土陶瓷及其制备方法。其技术方案是:按稳泡剂∶去离子水的质量比为(0.0005~0.005)∶1,将稳泡剂加入到去离子水中,磁力搅拌12~24h,制得溶液。按分散剂∶硅藻土粉末∶所述去离子水的质量比为(0.001~0.01)∶(0.50~0.80)∶1,将分散剂和硅藻土粉加入到所述溶液中,机械搅拌,制得硅藻土陶瓷浆料。按发泡剂∶硅藻土陶瓷浆料的体积比为(0.0025~0.01)∶1,将发泡剂加入到所述硅藻土陶瓷浆料中,机械搅拌,注浆成型,固化,脱模,制得多孔硅藻土陶瓷坯体,干燥,在1000~1300℃条件下保温1~3h,制得多孔硅藻土陶瓷。本发明工艺简单、易于控制、污染小和生产成本低;所制备的多孔硅藻土陶瓷强度高、孔隙率高和热导率低。

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