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一种阵列基板、制备方法以及显示装置

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110727811.1
  • IPC分类号:H01L21/77;H01L27/12;H01L27/32
  • 申请日期:
    2021-06-29
  • 申请人:
    京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方显示技术有限公司
著录项信息
专利名称一种阵列基板、制备方法以及显示装置
申请号CN202110727811.1申请日期2021-06-29
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-09-28公开/公告号CN113451207A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/77IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;7;7;;;H;0;1;L;2;7;/;1;2;;;H;0;1;L;2;7;/;3;2查看分类表>
申请人京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方显示技术有限公司申请人地址
北京市朝阳区酒仙桥路10号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人京东方科技集团股份有限公司,重庆京东方显示技术有限公司当前权利人京东方科技集团股份有限公司,重庆京东方显示技术有限公司
发明人全祥皓;赵志伟;肖喻钊;戴文连;任佳艺;朴海兰
代理机构北京正理专利代理有限公司代理人李泽彦
摘要
本发明实施例公开一种阵列基板、制备方法以及显示装置。在一具体实施方式中,该阵列基板包括多个薄膜晶体管,该阵列基板的制备方法包括在衬底上形成图案化的有源材料层,图案化的有源材料层包括待形成的薄膜晶体管的沟道区以及对应薄膜晶体管的源漏电极的非沟道区;在衬底上形成金属层,金属层使得多个薄膜晶体管的非沟道区电连接;在金属层和图案化的有源材料层上形成栅极绝缘层、栅极以及与非沟道区电连接的源漏电极,以形成多个薄膜晶体管。该实施方式的制备方法通过形成与多个薄膜晶体管的非沟道区电连接的金属层,从而降低制备得到的阵列基板的薄膜晶体管之间的电流电阻,改善薄膜晶体管之间的电流移动。

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