硅的电磁铸造装置

发明专利有效专利

申请号：
CN201080068565.3
IPC分类号：C01B33/02;C30B29/06
申请日期：
2010-11-17
申请人：
胜高股份有限公司

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著录项信息

专利名称	硅的电磁铸造装置
申请号	CN201080068565.3	申请日期	2010-11-17
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2013-04-10	公开/公告号	CN103038167A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C01B33/02 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C01 无机化学 C01B 非金属元素；其化合物（制备元素或二氧化碳以外无机化合物的发酵或用酶工艺入C12P 3/00；用电解法或电泳法生产非金属元素或无机化合物入C25B） C01B33/00 硅；其化合物（C01B 21/00，C01B 23/00优先；过硅酸盐入 C01B 15/14；碳化物入C01B32/956）〔1，3，2006.01〕 C01B33/02 硅（形成单晶或有一定结构的均匀多晶材料入C30B）〔5〕	IPC分类号	C;0;1;B;3;3;/;0;2;;;C;3;0;B;2;9;/;0;6查看分类表>
申请人	胜高股份有限公司	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	胜高股份有限公司	当前权利人	胜高股份有限公司
发明人	海老大辅;吉原光夫
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	吕琳;李浩

摘要

本发明是能稳定地制造作为太阳能电池的基板材料所使用的多晶硅的装置，是具有无底冷却铸模（1）和加热用感应线圈（2），并将通过基于所述感应线圈的电磁感应加热进行熔融的硅降低到下方使其凝固的硅的电磁铸造装置，进而，是具有产生移行式等离子体电弧的等离子体焰炬且具备能与熔融硅（4）表面相向地构成的通过基于所述感应线圈的电磁感应进行发热的顶部加热器（3）的电磁铸造装置。本发明在并用等离子体加热制造作为太阳能电池的基板材料的高品质的多晶硅铸锭时，能在最终凝固位置不产生裂缝地稳定地进行制造。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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