测量VCSEL器件多层膜元素扩散的样品制备方法以及检测方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110928350.4
IPC分类号：G01N1/28;G01N27/62
申请日期：
2021-08-13
申请人：
胜科纳米(苏州)股份有限公司

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专利名称	测量VCSEL器件多层膜元素扩散的样品制备方法以及检测方法
申请号	CN202110928350.4	申请日期	2021-08-13
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2021-11-02	公开/公告号	CN113588372A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01N1/28 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01N （除免疫测定法以外包括酶或微生物的测量或试验入C12M，C12Q） G01N1/00 取样；制备测试用的样品（用于自动分析的材料处理入G01N 35/00） G01N1/28 测试用样品的制备（将样品安装在显微镜载片上入G02B 21/34；电子显微镜中支承被分析的物品或材料的装置入H01J 37/20）	IPC分类号	G;0;1;N;1;/;2;8;;;G;0;1;N;2;7;/;6;2查看分类表>
申请人	胜科纳米(苏州)股份有限公司	申请人地址	江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区9栋507室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	胜科纳米(苏州)股份有限公司	当前权利人	胜科纳米(苏州)股份有限公司
发明人	朱雷;谢紫敏;赵弇斐;黄晋华;沈艳;金磊;许仕轩;石凯琳;张玲玲;张兮;傅超;李晓旻
代理机构	北京崇智知识产权代理有限公司	代理人	赵丽娜

摘要

本发明涉及材料样品检测技术领域，尤其涉及测量VCSEL器件多层膜元素扩散的样品制备方法以及VCSEL器件多层膜元素扩散的检测方法。测量VCSEL器件多层膜元素扩散的样品制备方法，包括以下步骤：从VCSEL器件中切取含有目标膜层的待测块并将待测块周围的氮化硅介质层去除；待测块向目标膜层方向削薄，直到距离目标膜层100‑500纳米，削薄后得到的待测面平整且待测面与目标膜层平行；得到的待测块的待测面用于TOF‑SIMS分析。该方法提供的制样可使小样品待测面在水平状态；消除边缘效应；消除VCSEL环形电极以及器件表面凸凹结构的影响。可以保证深度分析所需的主束流和溅射束流双束流的准直必须的要求，得到正确的深度分析信号。

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