能消除硅气相外延层中滑移线与高应力区的装置

实用新型专利无效专利

申请号：
CN200620026268.3
IPC分类号：C30B25/12;C30B29/06
申请日期：
2006-06-02
申请人：
河北工业大学

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著录项信息

专利名称	能消除硅气相外延层中滑移线与高应力区的装置
申请号	CN200620026268.3	申请日期	2006-06-02
法律状态	放弃专利权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B25/12 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B25/00 反应气体化学反应法的单晶生长，例如化学气相沉积生长〔3〕 C30B25/02 外延层生长〔3〕 C30B25/12 衬底夹持器或基座〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;5;/;1;2;;;C;3;0;B;2;9;/;0;6查看分类表>
申请人	河北工业大学	申请人地址	天津市红桥区光荣道8号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	河北工业大学	当前权利人	河北工业大学
发明人	刘玉岭;张建新
代理机构	天津市三利专利商标代理有限公司	代理人	闫俊芬;肖莉丽

摘要

本实用新型公开了一种能消除硅气相外延层中滑移线与高应力区的装置，旨在提供一种在降低热应力作用的同时还能消除机械应力的影响，以控制和消除外延生长中产生的滑移线和高应力集中区，而且工艺简单，生产效率高的能消除硅气相外延层中滑移线与高应力区的装置。包括基座本体，所述基座本体上设置有安放槽，与所述安放槽底部边缘的距离为1－5mm处设置有最外圈沟槽，最外圈沟槽内的安放槽内设置有互相连通的沟槽。使用本实用新型的装置，在消除热应力的同时还消除了机械应力的影响，其效果超过了SEMI国际标准，达到了控制和消除滑移线与高应力集中区的工艺目的，而且使得工艺简单，便于操作，生产效率高，成本低。

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