一种薄膜体声波谐振器及其背电极的引出方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201810360564.4
IPC分类号：H03H3/02
申请日期：
2018-04-20
申请人：
华南理工大学

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专利名称	一种薄膜体声波谐振器及其背电极的引出方法
申请号	CN201810360564.4	申请日期	2018-04-20
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2018-10-12	公开/公告号	CN108649916A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H03H3/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H03 基本电子电路 H03H 阻抗网络，例如谐振电路；谐振器（测量，试验入G01R；产生混响或回声装置入G10K 15/08；由分布阻抗，例如波导型，组成的阻抗网络或谐振器入H01P；放大的控制，例如放大器的带宽控制入H03G；调谐谐振电路，例如调谐耦合谐振电路入H03J；改善通信系统频率特性的网络入H04B） H03H3/00 专用于制造阻抗网络、谐振电路、谐振器的设备或方法 H03H3/007 用于制造机电谐振器或网络〔3〕 H03H3/02 用于制造压电或电致伸缩谐振器或网络（H03H 3/08优先）〔3〕	IPC分类号	H;0;3;H;3;/;0;2查看分类表>
申请人	华南理工大学	申请人地址	广东省广州市天河区五山路381号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	华南理工大学	当前权利人	华南理工大学
发明人	李国强;李洁;陈辰;高峻宁
代理机构	广州市华学知识产权代理有限公司	代理人	暂无

摘要

本发明属于薄膜体声波谐振器的技术领域，公开了一种薄膜体声波谐振器及其背电极的引出方法。所述薄膜体声波谐振器包括衬底，衬底上依次设置有背电极和压电层，衬底的表面设有凹槽，背电极和衬底表面的凹槽形成空气腔，压电层设有通孔，通孔的下方为背电极，通孔一侧的压电层上设有顶电极，通孔的另一侧以及通孔中设有背电极材料。背电极引出方法主要是在压电薄膜上制备通孔，通孔的下方为背电极，通孔一侧的压电薄膜上沉积顶电极，通孔另一侧的压电薄膜上以及通孔中沉积有背电极材料，背电极通过通孔引出。本发明免去了大面积刻蚀压电薄膜，对薄膜损伤较小；通孔引出电极易覆盖；且本发明可减小器件尺寸，降低功耗和提升性能。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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