对层间电介质进行可靠性分析的测试结构及测试方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201210558925.9
IPC分类号：H01L23/544;G01R31/12
申请日期：
2012-12-20
申请人：
武汉新芯集成电路制造有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

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专利名称	对层间电介质进行可靠性分析的测试结构及测试方法
申请号	CN201210558925.9	申请日期	2012-12-20
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2014-06-25	公开/公告号	CN103887280A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/544 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/544 加到半导体器件上的标志，例如注册商标、测试图案〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;5;4;4;;;G;0;1;R;3;1;/;1;2查看分类表>
申请人	武汉新芯集成电路制造有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	申请人地址	湖北省武汉市东湖技术开发区高新四路18号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	武汉新芯集成电路制造有限公司,中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	当前权利人	武汉新芯集成电路制造有限公司,中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
发明人	苏捷峰;李德勇;郭晓超
代理机构	上海思微知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	屈蘅;李时云

摘要

本发明提供一种对层间电介质进行可靠性分析的测试结构及测试方法，所述测试结构至少包括形成于衬底上的多晶硅结构及绝缘介质结构、第一接触线结构，第一金属条结构、第二接触线结构、第二金属条结构、及层间电介质。本发明可以快速有效地检测位于金属化层之下的多晶硅结构及接触线之间层间电介质的可靠性；本发明的测试结构是与晶圆上受测试的集成电路器件一同形成的，不需要额外的掩膜版；本发明的测试结构与集成电路设计相兼容，遵循集成电路中的最小设计准则，且本发明的测试结构与集成电路的器件尺寸设计要求一致，可以真实反应器件中层间电介质的可靠性；本发明的测试结构可以形成在晶圆切割道处，不占用形成集成电路器件的芯片的面积。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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