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一种PDP用铝掺杂类立方体状氧化镁粉末材料的制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201310234637.2
  • IPC分类号:H01J11/40;C01F5/02
  • 申请日期:
    2013-06-14
  • 申请人:
    电子科技大学
著录项信息
专利名称一种PDP用铝掺杂类立方体状氧化镁粉末材料的制备方法
申请号CN201310234637.2申请日期2013-06-14
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2013-09-18公开/公告号CN103311071A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01J11/40IPC分类号H;0;1;J;1;1;/;4;0;;;C;0;1;F;5;/;0;2查看分类表>
申请人电子科技大学申请人地址
四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人电子科技大学,四川长虹电器股份有限公司当前权利人电子科技大学,四川长虹电器股份有限公司
发明人尹伊;肖建亭;祁康成;李军建;王小菊;曹贵川;林祖伦;严群;周辉
代理机构成都宏顺专利代理事务所(普通合伙)代理人李顺德;王睿
摘要
一种PDP用铝掺杂类立方体状氧化镁粉末材料的制备方法,属于电子材料技术领域。主要步骤包括:将醋酸镁、氯化铝和尿素按比例溶解于去离子水中,形成反应体系;将反应体系转入反应釜中,在160℃温度下反应不低于3小时;将反应所生成固体产物分离、洗涤、干燥;将固体产物于不低于800℃的温度下煅烧。本发明制备的铝掺杂类立方体氧化镁粉末,形状规则、粒径分布均匀、有更高的二次电子发射系数,应用于PDP能改善PDP性能,降低PDP着火电压及维持电压。本发明同时具有反应简单、成本低廉和环境有好的特点。

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