一种AlN热隔离平板双面微结构的半导体式气体传感器

发明专利无效专利

申请号：
CN201010300140.2
IPC分类号：G01N27/04;B81B7/02;B81C1/00
申请日期：
2010-01-08
申请人：
哈尔滨理工大学

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专利名称	一种AlN热隔离平板双面微结构的半导体式气体传感器
申请号	CN201010300140.2	申请日期	2010-01-08
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2010-06-30	公开/公告号	CN101762623A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01N27/04 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01N （除免疫测定法以外包括酶或微生物的测量或试验入C12M，C12Q） G01N27/00 用电、电化学或磁的方法测试或分析材料（G01N 3/00至G01N 25/00优先；电或磁变量的测量或试验，材料的电磁性能的测试或试验入G01R） G01N27/02 通过测试阻抗 G01N27/04 通过测试电阻	IPC分类号	G;0;1;N;2;7;/;0;4;;;B;8;1;B;7;/;0;2;;;B;8;1;C;1;/;0;0查看分类表>
申请人	哈尔滨理工大学	申请人地址	黑龙江省哈尔滨市南岗区学府路52号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	哈尔滨理工大学,哈尔滨源创微纳科技开发有限公司	当前权利人	哈尔滨理工大学,哈尔滨源创微纳科技开发有限公司
发明人	施云波;赵文杰;周真;修德斌;冯侨华;何梦资
代理机构	哈尔滨市松花江专利商标事务所	代理人	张宏威

摘要

一种AlN热隔离平板双面微结构的半导体式气体传感器及其制造方法，涉及一种自热隔离平板双面微结构气体传感器及其制造方法。解决了现有的Si材料的气体传感器存在工艺开发成本高、工艺复杂等问题。基片对角线的四个方位上刻蚀有热隔离槽，基片背面设置有加热电极和信号电极，通过通孔基片正面与背面的加热电极相连通，加热电极为蛇形排列结构，敏感膜附在信号电极上，制造方法如下：一选择基片；二传感器Pt金属薄膜信号电极制备：首先光刻，其次镀膜，最后金属膜剥离；三异面加热电极制备：首先镀膜，然后激光刻蚀；四热隔离；五退火；六附敏感膜。本发明可以作为半导体式Cl2、NOX、CO等气体传感器。

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