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一种双掺杂型高介电常数的陶瓷材料及其制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201010126644.7
  • IPC分类号:C04B35/462;C04B35/622;H01B3/12
  • 申请日期:
    2010-03-12
  • 申请人:
    厦门大学
著录项信息
专利名称一种双掺杂型高介电常数的陶瓷材料及其制备方法
申请号CN201010126644.7申请日期2010-03-12
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2010-08-11公开/公告号CN101798213A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C04B35/462IPC分类号C;0;4;B;3;5;/;4;6;2;;;C;0;4;B;3;5;/;6;2;2;;;H;0;1;B;3;/;1;2查看分类表>
申请人厦门大学申请人地址
福建省厦门市思明南路422号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人厦门大学当前权利人厦门大学
发明人熊兆贤;曹泽亮;喻荣;薛昊;洪礼清
代理机构厦门南强之路专利事务所代理人马应森
摘要
一种双掺杂型高介电常数的陶瓷材料及其制备方法,涉及一种陶瓷材料。其组分及摩尔百分比含量为CaCu(1-x)MgxTi4O12+ySrCO3其中,x=0.1667,0.1133,0.1067,0.1,0.0933,0.0867,0.05,y=0.3,0.2,0.1,0.05,0。以CaCO3、CuO、TiO2、MgO、SrCO3为原料,按化学配比混合,得混合料,研磨成粉末,烘干,预烧,球磨,烘干;在球磨烘干后的混合料粉末中加入粘结剂干压成形,再烧结,得烧结后的陶瓷体;将烧结后的陶瓷体打磨,在陶瓷体上下表面被覆Ag电极,再热处理,使Ag电极与陶瓷介质紧密结合,得双掺杂高介电常数的陶瓷材料。

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