一种低侧功率开关集成模组和驱动芯片

发明专利有效专利

申请号：
CN202110349747.8
IPC分类号：H03K17/687
申请日期：
2021-03-31
申请人：
中国科学院微电子研究所

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著录项信息

专利名称	一种低侧功率开关集成模组和驱动芯片
申请号	CN202110349747.8	申请日期	2021-03-31
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-06-29	公开/公告号	CN113054975A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H03K17/687 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H03 基本电子电路 H03K 脉冲技术（脉冲特性测量入G01R；用脉冲调制正弦波振荡的入H03C；数字信息的传输入H04L；利用对振荡周期进行计数或积分来检定两个信号相位差的鉴别器电路入H03D 3/04；与发生器类型无关的或者并非特指的电子振荡发生器或脉冲发生器的自动控制、起振、同步或稳定入H03L；编码、一般译码或代码转换入H03M）〔4〕 H03K17/00 电子开关或选通，即不通过通断接触的（选通放大器入H03F 3/72；使用静态器件的交换系统的开关装置入H04Q 3/52） H03K17/51 按使用特殊元件区分的（H03K 17/04至H03K 17/30，H03K 17/94优先）〔3〕 H03K17/56 应用半导体器件作为有源元件的（应用二极管的入H03K 17/74）〔3〕 H03K17/687 应用场效应晶体管的〔3〕	IPC分类号	H;0;3;K;1;7;/;6;8;7查看分类表>
申请人	中国科学院微电子研究所	申请人地址	北京市朝阳区北土城西路3号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院微电子研究所	当前权利人	中国科学院微电子研究所
发明人	高马利;蔡小五;郝宁;丁利强;夏瑞瑞;高悦欣;赵发展
代理机构	北京华沛德权律师事务所	代理人	房德权

摘要

本发明涉及功率开关技术领域，具体涉及一种低侧功率开关集成模组和驱动芯片。该低侧功率开关集成模组包括：SenseFET电流采样电路，用于获取功率开关管的通路电流对应的采样电流；限流保护电路，用于在采样电流超过阈值电流时，拉低功率开关管的栅极电压，减小功率开关管的通路电流；SenseFET电压采样电路，用于获取功率开关管的漏极电压对应的采样电压；短路保护电路，用于在采样电压超过阈值电压时，关断功率开关管，并关断整个电路。本发明基于SenseFET实现电流和电压的采样，能够提高采样电流和采样电压的采样精度，同时减少采样过程对功率开关管输出功率的影响，提高了低侧功率开关集成模组的可靠性。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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