一种太阳光谱选择性吸收膜及其制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200810117950.7
IPC分类号：F24J2/48;F24J2/05;F24J2/24;B32B7/02;C23C14/35;C23C14/54
申请日期：
2008-08-18
申请人：
范天方

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著录项信息

专利名称	一种太阳光谱选择性吸收膜及其制备方法
申请号	CN200810117950.7	申请日期	2008-08-18
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2009-01-14	公开/公告号	CN101344334
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	F24J2/48 ? IPC结构图谱： F 机械工程；照明；加热；武器；爆破 F2 照明；加热 F24 供热；炉灶；通风 F24J （删除） F24J2/48 （转入F24S 70/10-F24S 70/275）	IPC分类号	F;2;4;J;2;/;4;8;;;F;2;4;J;2;/;0;5;;;F;2;4;J;2;/;2;4;;;B;3;2;B;7;/;0;2;;;C;2;3;C;1;4;/;3;5;;;C;2;3;C;1;4;/;5;4查看分类表>
申请人	范天方	申请人地址	山东省泰安市南关路10号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	范天方	当前权利人	范天方
发明人	范天方
代理机构	北京国林贸知识产权代理有限公司	代理人	刁玉生

摘要

本发明涉及一种太阳光谱选择性吸收膜及其制备方法，包括一个覆膜基体，在该基体表面上由内向外依次覆盖红外反射层、吸收层、减反射层；所述的红外反射层是包含有钛元素+铝元素+硅元素的溅射沉积层，所述的吸收层是包含有铝氮团簇+钛氮团簇+硅氮团簇+铝钛硅团簇的溅射沉积层；所述的减反射层是包含有铝氮团簇+钛氮团簇+硅氮团簇的溅射沉积层，本发明采用钛硅合金靶和铝合金靶的溅射工艺；采用本发明的太阳能集热管对太阳光谱的全色吸收率α≥94％，总发射率ε≤4.5％，太阳能集热管空晒性能可以提高21.33％，可常年在高于400℃的温度下使用。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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