用于拉晶的方法和设备

发明专利无效专利

申请号：
CN02107413.5
IPC分类号：C30B15/00
申请日期：
2002-03-14
申请人：
株式会社荏原制作所

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法律信息

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著录项信息

专利名称	用于拉晶的方法和设备
申请号	CN02107413.5	申请日期	2002-03-14
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2002-12-04	公开/公告号	CN1382840
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B15/00 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B15/00 熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法（在保护流体下的入C30B 27/00）〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;1;5;/;0;0查看分类表>
申请人	株式会社荏原制作所	申请人地址	日本东京变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社荏原制作所	当前权利人	株式会社荏原制作所
发明人	寺尾健二;磯崎秀之;山口安美
代理机构	永新专利商标代理有限公司	代理人	刘兴鹏

摘要

一种使用一对环带从坩埚中连续地抽拉半导体晶体条的设备，该设备具有用于自动调整半导体晶体条的横向位置的位置控制装置。该位置控制装置被放置在用于从坩埚中抽拉半导体晶体条的路径中。该位置控制装置包括一对挡块，这对挡块分别横向位于所述半导体晶体条的所述路径的两侧上，并且可相对所述半导体晶体条横向移动，还包括一对分别安装在所述挡块上的位置传感器，这对传感器用于检测所述半导体晶体条的每个边缘。所述挡块具有各自的侧表面，用于通过接触半导体晶体条的两个边缘调节半导体晶体条的抽拉方向。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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