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多物理场疲劳性能测试系统及测试方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200910049500.3
  • IPC分类号:G01N3/00;G01N29/14
  • 申请日期:
    2009-04-17
  • 申请人:
    中国科学院上海硅酸盐研究所
著录项信息
专利名称多物理场疲劳性能测试系统及测试方法
申请号CN200910049500.3申请日期2009-04-17
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2009-12-30公开/公告号CN101614635
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G01N3/00IPC分类号G;0;1;N;3;/;0;0;;;G;0;1;N;2;9;/;1;4查看分类表>
申请人中国科学院上海硅酸盐研究所申请人地址
上海市定西路1295号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学院上海硅酸盐研究所当前权利人中国科学院上海硅酸盐研究所
发明人蔡艳红;唐云山;邓启煌;张建峰;王连军;江莞;陈立东
代理机构暂无代理人暂无
摘要
本发明涉及一种多物理场疲劳性能测试系统及测试方法,具体为力电、力热电耦合条件下,基于材料损伤、破坏实时监测的疲劳性能测试系统、疲劳性能评价及寿命预测方法,属于材料性能评价领域。由于实验设备和测试平台的限制,现有的实验装置和测试技术难以评价压电陶瓷小样品在力电、力热电耦合条件下的疲劳性能,从而限制了压电陶瓷材料及器件的应用发展。针对目前存在的问题,本发明完成了疲劳性能测试系统中力场、热场、电场、声发射部分及适用于MSP方法的模具的合理选择和优化组合设计,提出了小样品疲劳性能评价及寿命预测方法,在此基础上,可以实现力电、力热电耦合场中基于材料损伤、破坏实时监测的压电陶瓷等样品的疲劳性能评价及寿命预测。

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