碳纳米管结构的制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201210135963.3
IPC分类号：C01B31/02;B82Y40/00
申请日期：
2012-05-04
申请人：
清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司

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引证文献

著录项信息

专利名称	碳纳米管结构的制备方法
申请号	CN201210135963.3	申请日期	2012-05-04
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2013-11-06	公开/公告号	CN103382037A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C01B31/02 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C01 无机化学 C01B 非金属元素；其化合物（制备元素或二氧化碳以外无机化合物的发酵或用酶工艺入C12P 3/00；用电解法或电泳法生产非金属元素或无机化合物入C25B） C01B31/02 （转入C01B 32/05，C01B 32/15-C01B 32/198）	IPC分类号	C;0;1;B;3;1;/;0;2;;;B;8;2;Y;4;0;/;0;0查看分类表>
申请人	清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司	申请人地址	北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	清华大学,鸿富锦精密工业（深圳）有限公司	当前权利人	清华大学,鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
发明人	柳鹏;姜开利;范守善
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明提供一种碳纳米管结构的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底，该基底具有一生长面；在所述生长面设置一碳纳米管层，该碳纳米管层包括多个第一碳纳米管，且所述生长面通过该碳纳米管层部分暴露；沉积催化剂，从而在所述碳纳米管层的表面形成一第一催化剂，在所述生长面形成一第二催化剂；以及生长碳纳米管，在所述基底的生长面生长多个第二碳纳米管从而形成一碳纳米管阵列，且在所述碳纳米管层的表面生长多个第三碳纳米管而形成一碳纳米管丛。本发明提供的碳纳米管结构的制备方法简单易行，适合在工业上批量生长。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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