LED陶瓷封装基板及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110555160.2
IPC分类号：H01L33/48;H01L33/62;H01L33/60
申请日期：
2021-05-20
申请人：
中国科学院半导体研究所

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著录项信息

专利名称	LED陶瓷封装基板及其制备方法
申请号	CN202110555160.2	申请日期	2021-05-20
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-08-24	公开/公告号	CN113299814A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/48 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/48 以半导体封装体为特征的〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;4;8;;;H;0;1;L;3;3;/;6;2;;;H;0;1;L;3;3;/;6;0查看分类表>
申请人	中国科学院半导体研究所	申请人地址	北京市海淀区清华东路甲35号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院半导体研究所	当前权利人	中国科学院半导体研究所
发明人	王军喜;李燕;杨宇铭;杨华;伊晓燕;李晋闽
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	吴梦圆

摘要

本公开提供一种LED陶瓷封装基板，包括：陶瓷基板，具有内焊盘；第一金属镀层，覆盖于所述陶瓷基板的LED芯片安装侧，且与所述内焊盘连接，所述第一金属镀层用于连接所述LED芯片并为所述LED芯片供电；以及第二金属镀层，覆盖于所述第一金属镀层上，所述第二金属镀层用于反射所述LED芯片发出的光。可实现能提供高稳定性的强光反射，提供了LED与基板之间的电学接触；可提供稳定的电互连的陶瓷基板，提高了与LED芯片良好的电连接的同时提高光提取效率。本公开还提供了一种用于制备LED陶瓷封装基板的LED陶瓷封装基板制备方法。

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该专利没有引用任何外部专利数据！

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