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半导体器件及其制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN99124857.0
IPC分类号：--
申请日期：
1997-10-15
申请人：
株式会社半导体能源研究所

基础信息

权利要求

说明书

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体器件及其制造方法
申请号	CN99124857.0	申请日期	1997-10-15
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2000-11-08	公开/公告号	CN1272683
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	株式会社半导体能源研究所	申请人地址	日本神奈川县变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社半导体能源研究所	当前权利人	株式会社半导体能源研究所
发明人	山崎舜平;大谷久;小山润;福永健司
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	李亚非

摘要

提供一种其性能可与MOSFET性能相比的TFT。用促进结晶化的金属元素结晶的结晶硅膜形成半导体器件的有源层，并在含卤素气氛中热处理，除去金属元素。用众多种形或柱形晶体的集合构成该处理后的有源层。用该结晶结构制成的半导体器件有极高的性能。

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