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微处理器散热结构及其制法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN99117185.3
  • IPC分类号:--
  • 申请日期:
    1999-10-31
  • 申请人:
    富准精密工业(深圳)有限公司;鸿准精密工业股份有限公司
著录项信息
专利名称微处理器散热结构及其制法
申请号CN99117185.3申请日期1999-10-31
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2001-05-09公开/公告号CN1294332
优先权暂无优先权号暂无
主分类号暂无IPC分类号暂无查看分类表>
申请人富准精密工业(深圳)有限公司;鸿准精密工业股份有限公司申请人地址
广东省深圳市宝安区龙华镇第十工业区富士康小区 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人富准精密工业(深圳)有限公司,鸿准精密工业股份有限公司当前权利人富准精密工业(深圳)有限公司,鸿准精密工业股份有限公司
发明人李政枝
代理机构暂无代理人暂无
摘要
一种微处理器散热结构,用于微处理器或其它会产生高热的晶片结构上,该散热结构具有一以纯铝制成的散热座,其具有高度热传导性,用来安装微处理器以增加散热面积,在该散热座与微处理器之间表面向外延伸出一导沟,导沟内设有热导管,该导沟的延伸表面上设有一由散热性较好的铜片制成的散热片组,其底部和散热座固定成型,因此,该微处理器产生的高热可通过导沟内的热导管导引到散热片组上有效散发。

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