首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据，仅供参考，实际以国家知识产权局展示为准

通过四氯化硅的催化加氢脱卤制备三氯甲硅烷的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200580012453.5
IPC分类号：C01B33/107
申请日期：
2005-03-10
申请人：
德古萨公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	通过四氯化硅的催化加氢脱卤制备三氯甲硅烷的方法
申请号	CN200580012453.5	申请日期	2005-03-10
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2007-04-11	公开/公告号	CN1946637
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C01B33/107 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C01 无机化学 C01B 非金属元素；其化合物（制备元素或二氧化碳以外无机化合物的发酵或用酶工艺入C12P 3/00；用电解法或电泳法生产非金属元素或无机化合物入C25B） C01B33/00 硅；其化合物（C01B 21/00，C01B 23/00优先；过硅酸盐入 C01B 15/14；碳化物入C01B32/956）〔1，3，2006.01〕 C01B33/08 含卤素的化合物 C01B33/107 卤化硅烷〔3〕	IPC分类号	C;0;1;B;3;3;/;1;0;7查看分类表>
申请人	德古萨公司	申请人地址	德国杜塞尔多夫变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	德古萨公司	当前权利人	德古萨公司
发明人	K·博姆哈梅尔;S·克特尔;G·勒维尔;I·勒弗;J·蒙基维茨;H·-J·赫内
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	周铁;林森

摘要

本发明涉及一种将SiCl4催化加氢脱卤以形成HSiCl3的工艺，它包括使包含氢气和四氯化硅的气体进料混合物与电阻加热装置的至少一个加热单元发生直接接触，所述加热单元由金属或金属合金构成并被加热以进行所述转化。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供