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用于在形成通至导电部件的触点时减少电介质过蚀刻的方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200680015585.8
  • IPC分类号:H01L21/768;H01L27/102
  • 申请日期:
    2006-03-21
  • 申请人:
    桑迪士克3D公司
著录项信息
专利名称用于在形成通至导电部件的触点时减少电介质过蚀刻的方法
申请号CN200680015585.8申请日期2006-03-21
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2008-05-28公开/公告号CN101189714
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/768IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;7;6;8;;;H;0;1;L;2;7;/;1;0;2查看分类表>
申请人桑迪士克3D公司申请人地址
美国得克萨斯州 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人桑迪士克科技有限责任公司当前权利人桑迪士克科技有限责任公司
发明人克里斯托弗·J·佩蒂
代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司代理人刘国伟
摘要
在本发明的第一优选实施例中,将导电部件(44)形成在第一介电蚀刻停止层(40)上,且将第二介电材料(48)沉积在所述导电部件上方及之间。在所述第一与第二电介质之间具有选择性的通至所述导电部件的通路蚀刻将停止在所述介电蚀刻停止层上,从而限制过蚀刻。在第二实施例中,以减去图案及蚀刻工艺形成多个导电部件(64),用介电填充剂(68)对其进行填充,且然后形成共同暴露导电部件及介电填充剂的表面。将介电蚀刻停止层(72)沉积在所述表面上,然后第三电介质(74)覆盖所述电介质蚀刻停止层。当穿过所述第三电介质蚀刻触点(76)时,所述选择性蚀刻会停止在所述电介质蚀刻停止层上。第二蚀刻可形成通至所述导电部件的触点。

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