半导体发光二极管

发明专利无效专利

申请号：
CN99800135.X
IPC分类号：--
申请日期：
1999-02-15
申请人：
古河电气工业株式会社

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法律信息

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著录项信息

专利名称	半导体发光二极管
申请号	CN99800135.X	申请日期	1999-02-15
法律状态	撤回	申报国家	暂无
公开/公告日	2000-06-14	公开/公告号	CN1256795
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	古河电气工业株式会社	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	古河电气工业株式会社	当前权利人	古河电气工业株式会社
发明人	石川卓哉;荒川智志;向原智一;柏川秋彦
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	朱进桂

摘要

半导体发光二极管(10)被形成在n型GaAs基片上并包含:AlGaInP基双异质结结构,其中激活层(16)被夹在镀层(14,18)之间;上P型接触层20;环形上电极(22)有孔(28),光是通过上p型接触层(20)和上电极(22)的孔(28)发射。上p型接触层(20)是由含有0.5或更高Al含量的AlGaAs或AlGaAsP构成的半导体层,并且在5×1018cm－3或更高载流子浓度掺杂杂质。该半导体发光二极管以要求的发射图形和较高强度发射光并能以相对简单工艺制造。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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