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横向扩散金属氧化物半导体晶体管及其制作方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201210140214.X
  • IPC分类号:H01L29/78;H01L29/417;H01L21/336
  • 申请日期:
    2012-05-08
  • 申请人:
    上海韦尔半导体股份有限公司
著录项信息
专利名称横向扩散金属氧化物半导体晶体管及其制作方法
申请号CN201210140214.X申请日期2012-05-08
法律状态授权申报国家暂无
公开/公告日2013-11-13公开/公告号CN103390645A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/78
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;9;/;4;1;7;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6查看分类表>
申请人上海韦尔半导体股份有限公司申请人地址
上海市浦东新区松涛路489号B座302-2室 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海韦尔半导体股份有限公司当前权利人上海韦尔半导体股份有限公司
发明人纪刚;顾建平
代理机构上海弼兴律师事务所代理人薛琦;朱水平
摘要
本发明公开了一种LDMOS,包括:一P型衬底、一N型外延层;位于该N型外延层中的一P阱;位于该P阱中的一第一N型掺杂区域;穿过该第一N型掺杂区域、该P阱、该N型外延层且直至该P型衬底的一沟槽,该沟槽的侧壁上具有第一氧化层,该沟槽中填充有P型掺杂的第一多晶硅,该第一多晶硅的上表面位于该P阱内且低于该第一N型掺杂区域;一第一金属层,该第一金属层覆盖于该第一多晶硅的上表面上以及覆盖于该第一N型掺杂区域上;和位于该P型衬底背面上的一源极金属层。本发明还公开了一种LDMOS的制作方法。本发明将原本正面引出的源极从衬底背面引出,有效减小原源极区在正面的设计面积,增大栅极区沟道的设计宽度,降低了导通电阻。

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