一种环境友好型红外倍频硫系玻璃陶瓷的制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200810047047.8
IPC分类号：C03C10/02
申请日期：
2008-03-11
申请人：
武汉理工大学

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著录项信息

专利名称	一种环境友好型红外倍频硫系玻璃陶瓷的制备方法
申请号	CN200810047047.8	申请日期	2008-03-11
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2008-08-20	公开/公告号	CN101244891
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C03C10/02 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C03 玻璃；矿棉或渣棉 C03C 玻璃、釉或搪瓷釉的化学成分；玻璃的表面处理；由玻璃、矿物或矿渣制成的纤维或细丝的表面处理；玻璃与玻璃或与其他材料的接合 C03C10/00 微晶玻璃陶瓷，即结晶相分散于玻璃相中，并至少为总组成的50（重量）的微晶玻璃〔4〕 C03C10/02 非二氧化硅及非硅酸盐结晶相，例如尖晶石、钛酸钡〔4〕	IPC分类号	C;0;3;C;1;0;/;0;2查看分类表>
申请人	武汉理工大学	申请人地址	湖北省武汉市洪山区珞狮路122号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	武汉理工大学	当前权利人	武汉理工大学
发明人	陶海征;林常规;赵修建
代理机构	湖北武汉永嘉专利代理有限公司	代理人	唐万荣

摘要

本发明属于非线性光学玻璃陶瓷材料领域。一种环境友好型红外倍频硫系玻璃陶瓷的制备方法，其特征在于包括以下步骤：1)选取原料：按照(100％-x)GeS2·xAgGaS2，其中，x表示AgGaS2所占摩尔％，且x＝5～52％(摩尔)，(100％-x)表示GeS2所占摩尔％；选取Ge、Ga、Ag和S四种高纯单质原料备用；2)将单质Ge、Ga、Ag和S原料混合；3)基础玻璃的制备；4)进行核化；完成晶化；消除应力，随炉冷却后出炉，抛光后即得一种环境友好型红外倍频硫系玻璃陶瓷。该发明制备的玻璃陶瓷的物化性能稳定、耐水性好、具有较高的玻璃转变温度、无毒环境友好、具有宽透过窗口和倍频功能。可用于倍频、差频、和频和光参量振荡等红外波段光变频技术领域。

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