基于双层碳化硅支架批量生长REBCO高温超导块体的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201210352797.2
IPC分类号：C30B35/00;C30B29/22
申请日期：
2012-09-19
申请人：
上海交通大学

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专利名称	基于双层碳化硅支架批量生长REBCO高温超导块体的方法
申请号	CN201210352797.2	申请日期	2012-09-19
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2013-02-13	公开/公告号	CN102925985A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B35/00 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B35/00 未包括在其他分类位置中的专门适用于单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的生长、制备或后处理的一般装置〔3，5〕	IPC分类号	C;3;0;B;3;5;/;0;0;;;C;3;0;B;2;9;/;2;2查看分类表>
申请人	上海交通大学	申请人地址	上海市闵行区东川路800号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海交通大学	当前权利人	上海交通大学
发明人	姚忻;于德京;程玲;彭波南;许恒恒
代理机构	上海旭诚知识产权代理有限公司	代理人	郑立

摘要

本发明公开了一种批量生长REBCO超导块体的方法，在底部加热的生长炉中放置具有上、下两层搁板的支架；制作多个前驱体和小前驱体，将多个前驱体分别放置在两层搁板上，其中，上层搁板上的前驱体的上表面放置有c轴取向的NdBCO/MgO薄膜作为籽晶，下层搁板上的前驱体的上表面放置有小前驱体，小前驱体的上表面放置有c轴取向的NdBCO/MgO薄膜作为籽晶；进行熔融结构生长以得到多个REBCO超导块体。本发明实现了双层批量生产REBCO超导块材，充分地利用了生长炉内部的空间，降低了生产成本。并且，本发明批量生长的REBCO超导块体生长良好，具有均一、稳定的性质。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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