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一种超薄硅化物的制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201510702268.4
  • IPC分类号:H01L21/28
  • 申请日期:
    2015-10-26
  • 申请人:
    北京大学
著录项信息
专利名称一种超薄硅化物的制备方法
申请号CN201510702268.4申请日期2015-10-26
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2017-05-03公开/公告号CN106611704A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/28IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;2;8查看分类表>
申请人北京大学申请人地址
北京市海淀区颐和园路5号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人北京大学当前权利人北京大学
发明人黎明;陈珙;杨远程;张昊;樊捷闻;黄如
代理机构北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙)代理人司立彬
摘要
本发明公开了一种超薄硅化物的制备方法。本方法为:1)在硅衬底上制备插入阻挡层;2)在制备的阻挡层上制备一金属层;3)对步骤2)得到的结构进行退火,使该金属层的金属扩散过该插入阻挡层并与硅反应形成超薄硅化物;4)去除多余的金属以及该插入阻挡层,得到超薄硅化物。本发明可实现小于2nm的超薄硅化物的制备,且通过改变插入阻挡层的厚度来控制驱入的金属量,以此可以得到同一金属但不同物相和不同厚度的硅化物,工艺可控性高;形成的超薄硅化物具有低电阻率、低肖特基势垒、均匀性好和平整度好的特点;对常规超薄硅化物制备方法中金属的淀积工艺窗口大大放宽;完全和体硅CMOS工艺相兼容,工艺简单,成本代价小。

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