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一种低温下制备量子点的方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201310511736.0
  • IPC分类号:C01B19/04
  • 申请日期:
    2013-10-25
  • 申请人:
    湖南科技大学
著录项信息
专利名称一种低温下制备量子点的方法
申请号CN201310511736.0申请日期2013-10-25
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2014-02-05公开/公告号CN103552999A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C01B19/04IPC分类号C;0;1;B;1;9;/;0;4查看分类表>
申请人湖南科技大学申请人地址
湖南省湘潭市雨湖区石码头2号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人湖南科技大学当前权利人湖南科技大学
发明人曾云龙;元晓云;匡慧艳;易平贵;冯磊;黄昊文;唐春然;易守军;唐子龙;王天伦
代理机构湘潭市汇智专利事务所(普通合伙)代理人宋向红
摘要
本发明公开了一种低温下制备量子点的方法。本发明包括如下步骤:在室温至40℃条件下,向敞开体系中加入镉盐,然后将其溶解于二次蒸馏水中,向其中加入稳定剂,以氢氧化钠调节pH值,加入还原剂后再次调节到先前pH,加入硒源或碲源,再向体系中加入浓度为25wt%~28wt%的氨水溶液,最后在室温至40℃条件下搅拌1.0~30小时完成反应;其中,所述镉盐在反应体系中的浓度为1.0×10-4mol/L~1.0×10-2mol/L;所述氨水在反应体系中的浓度为0.25mol/L~2.0mol/L;所述镉盐、硒源或碲源、稳定剂及还原剂的物质的量比为1:0.02~0.5:2.0~4.5:2.0~80。本发明还原剂及反应条件均很温和、操作便捷、试剂消耗量大大降低。

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