常压开放体系溶剂热合成Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族半导体材料的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201010534208.3
IPC分类号：C01B19/00C01B19/04C01G15/00
申请日期：
2010-11-05
申请人：
桂林理工大学

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法律信息

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专利名称	常压开放体系溶剂热合成Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族半导体材料的方法
申请号	CN201010534208.3	申请日期	2010-11-05
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2011-05-18	公开/公告号	CN102060273A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C01B19/00 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C01 无机化学 C01B 非金属元素；其化合物（制备元素或二氧化碳以外无机化合物的发酵或用酶工艺入C12P 3/00；用电解法或电泳法生产非金属元素或无机化合物入C25B） C01B19/00 硒；碲；其化合物	IPC分类号	C01B19/00;C01B19/04;C01G15/00查看分类表>
申请人	桂林理工大学	申请人地址	广西壮族自治区桂林市建干路12号桂林理*** 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	桂林理工大学	当前权利人	桂林理工大学
发明人	龙飞
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明公开了一种常压开放体系溶剂热合成I-III-VI族半导体材料的方法。将金属盐和硫源或硒源按预期产物的摩尔配比加入烧杯内，然后加入溶剂，混合均匀后倒入能加热、能搅拌的开放式反应器；升温至额定温度60-190℃后保温额定时间1-12h；期间可根据结构需要多次添加反应物；最终产物经过离心洗涤获得目标粉体；粉体化学组成由加入原料配比控制，粉体的结构由加料顺序和合成温度控制共同决定；所述溶剂为水、乙二胺、乙二醇、联胺和乙醇中的一种或多种；所述金属盐为Cu、In和Ga的金属盐；所述硫源为硫脲或硫粉；所述硒源为硒粉或亚硒酸。本发明成本低、反应装置简单，反应速度快以及反应过程可控性和可干预性强。