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去除多孔氮化铝或多孔氮化镓微粒中氮化镁的方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201110156787.7
  • IPC分类号:C01B21/072;C01B21/06
  • 申请日期:
    2011-06-13
  • 申请人:
    西安理工大学
著录项信息
专利名称去除多孔氮化铝或多孔氮化镓微粒中氮化镁的方法
申请号CN201110156787.7申请日期2011-06-13
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2011-10-19公开/公告号CN102219195A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C01B21/072IPC分类号C;0;1;B;2;1;/;0;7;2;;;C;0;1;B;2;1;/;0;6查看分类表>
申请人西安理工大学申请人地址
陕西省西安市金花南路5号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人西安理工大学当前权利人西安理工大学
发明人颜国君
代理机构西安弘理专利事务所代理人李娜
摘要
本发明公开了一种去除多孔氮化铝或多孔氮化镓微粒中氮化镁的方法,具体步骤为:把高温氮化结束的Al-Mg或Ga-Mg合金粉末的产物装入坩埚,再将坩埚装入刚玉或石英管内,然后放入管式加热炉中,对石英或刚玉管抽真空,打开管式加热炉电源,使炉内温度升至900~1100℃保温3~6小时,在此阶段,AlN微粒或GaN微粒中的氮化镁发生分解产生镁蒸气和氮气,镁蒸气从AlN或GaN微粒中蒸发出来,管的低温端凝聚,从而去除氮化镁被。利用本发明的方法,能有效去除AlN与Mg3N2或GaN与Mg3N2合金混合物中的Mg3N2,能避免在去除AlN或GaN微粒中的Mg3N2的过程中因水的引入而造成AlN或GaN的水解。

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