一种MEMS器件的圆片级真空封装方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201110338989.3
IPC分类号：B81C3/00
申请日期：
2011-11-01
申请人：
北京大学

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著录项信息

专利名称	一种MEMS器件的圆片级真空封装方法
申请号	CN201110338989.3	申请日期	2011-11-01
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2012-02-15	公开/公告号	CN102351141A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	B81C3/00 ? IPC结构图谱： B 作业；运输 B8 微观结构技术；纳米技术 B81 微观结构技术〔7〕 B81C 专门适用于制造或处理微观结构装置或系统的方法或设备（制造微胶囊或微球入B01J13/02；专门适用于制造或处理压电器件、电致伸缩器件或磁致伸缩器件的方法或设备本身入H01L41/22）〔7〕 B81C3/00 从单独处理过的部件组装装置或系统〔7〕	IPC分类号	B;8;1;C;3;/;0;0查看分类表>
申请人	北京大学	申请人地址	北京市海淀区颐和园路5号北京大学变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京大学	当前权利人	北京大学
发明人	于晓梅;周晓雄;袁明泉;杨建成
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明的目的是提供一种MEMS器件的圆片级真空封装的方法。该圆片级真空封装的器件主要包括MEMS器件、支撑器件的底座基片、带过孔的中间垫层基片、盖帽基片、焊料和吸气剂。封装基本步骤包括：在底座基片上制备出MEMS器件；在底座基片的器件面、中间垫层基片的双面和盖帽基片的一面淀积复合金属层，形成键合区域图形；在其任一种基片上溅射吸气合金作为吸气剂；加工中间垫层基片形成过孔；把三种基片按顺序对准组合，并在基片之间夹入焊料；放入键合炉，焊料熔融后将这三种基片粘合在一起，形成密封腔；划片形成单个器件。该圆片级封装方法能提高封装内外部环境的密封性能和封装器件的可靠性、成品率高，且工艺简单、成本低，适用于工业大批量生产。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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