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一种提高多层整合光罩工艺套准精度的光刻曝光方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201210343524.1
IPC分类号：G03F7/20;G03F9/00
申请日期：
2012-09-17
申请人：
上海华力微电子有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种提高多层整合光罩工艺套准精度的光刻曝光方法
申请号	CN201210343524.1	申请日期	2012-09-17
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2013-01-09	公开/公告号	CN102866592A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G03F7/20 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术〔4〕 G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备（照相排版装置入B41B；为摄影用的感光材料或处理入G03C；电记录、感光层或处理入G03G） G03F7/00 图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备（用于特殊工艺的光致抗蚀剂结构见相关的位置，例如，B44C，H01L，例如，H01L 21/00，H05K）〔3，5〕 G03F7/20 曝光及其设备（复制用照相印制设备入G03B 27/00）〔4〕	IPC分类号	G;0;3;F;7;/;2;0;;;G;0;3;F;9;/;0;0查看分类表>
申请人	上海华力微电子有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海华力微电子有限公司	当前权利人	上海华力微电子有限公司
发明人	朱骏;张旭昇
代理机构	上海申新律师事务所	代理人	竺路玲

摘要

本发明提供一种提高多层整合光罩工艺套准精度的光刻曝光方法，包括以下顺序步骤：先使用第一掩模板图形对硅片物理尺寸内部分进行曝光；后使用第二掩模板图形对硅片物理尺寸外部分进行曝光，所述第一掩模板图形和第二掩模板图形设置在同一掩模板上。本发明提供的光刻曝光方法能有效解决套准精度低下和光学镜头局部受热不均匀的问题。

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